Моя заявка (0)
Стабилитроны JANTX2N3792

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Цена по запросу
(от 20 680 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Power BJT

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSN
TypePNP
EU RoHSNot Compliant
MaterialSi
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTray
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г0.03
PCB changed2
Part StatusActive
ConfigurationSingle
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageTO-3
УпаковкаTray
ТехнологияSi
Standard Package NameTO-204-AA
Minimum DC Current Gain50@1A@2V|30@3A@2V|10@5A@2V|5@10A@4V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeMilitary
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Maximum Power Dissipation (mW)5000
Maximum DC Collector Current (A)10
Maximum Emitter Base Voltage (V)7
Maximum Collector Base Voltage (V)80
Maximum Operating Temperature (°C)200
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Junction Temperature (°C)-65 to 200
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)5000000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.5@0.5A@5A|3@2A@10A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1@0.5A@5A|2.5@2A@10A
Размер фабричной упаковки100

Техническая документация