SSM3K56CT,L3F, Small Low ON Resistane MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025534740
- Артикул
- SSM3K56CT,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 1 mm
- Высота
- 0.38 mm
- Ширина
- 0.6 mm
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small Low ON Resistane МОП-транзисторs
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 1 mm |
| Высота | 0.38 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | CST3-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 1 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Id - непрерывный ток утечки | 800 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 186 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 8.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |