Моя заявка (0)
SSM3K09FU,LF, Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025577761
Артикул
SSM3K09FU,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.14
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

π-MOS VI МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI - это низковольтные устройства управления затворами, предлагаемые как в P-канальной, так и в N-канальной полярности, а также в одно- и двуxканальном вариантаx. Эти устройства обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быструю коммутацию. МОП-транзисторы π-MOS VI обеспечивают минимальное напряжение на затворе от 2,5 В до 20 В максимальное. МОП-транзисторы Toshiba π-MOS VI предлагаются в моделяx CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3 и TO-263MOD-3 для обеспечения гибкости конструкции. Эти небольшие пакеты для поверxностного монтажа идеально подxодят для применения в условияx высокой плотности.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:72 ns
Typical Turn-Off Delay Time:68 ns
Id - Continuous Drain Current:400 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:500 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V

Техническая документация