SRN5020TA-220M, Power Inductors - SMD 22uH 20% 1.1A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006351257
- Артикул
- SRN5020TA-220M
- Бренд
- Bourns
- Type
- Drum Core, Wirewound
- Series
- SRN5020TA
- Ratings
- AEC-Q200
- Q @ Freq
- 15 @ 100kHz
Цена по запросу
(от 60,01 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полуэкранированная конструкция Диапазон индуктивности: от 0,6 до 100 мкГн Номинальный ток до 8 А Применение без галогенов
Технические параметры
| Type | Drum Core, Wirewound |
| Series | SRN5020TA |
| Ratings | AEC-Q200 |
| Q @ Freq | 15 @ 100kHz |
| Shielded | Yes |
| Shielding | Shielded |
| Tolerance | ±20% |
| Inductance | 22 μH |
| Вес, г | 0.06 |
| Серия | SRN5020TA |
| Package/Case | 5020 |
| Core Material | Ferrite |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Nonstandard |
| Material - Core | Ferrite |
| Maximum DC Current | 1.1A |
| Automotive Standard | AEC-Q200 |
| DC Resistance (DCR) | 225mOhm |
| Ток СКЗ (Irms) | 1.1А |
| Current Rating (Amps) | 1.1 A |
| Inductor Construction | Semi-Shielded |
| Maximum DC Resistance | 225mΩ |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C |
| Minimum Quality Factor | 15 |
| Особенности | силовая |
| Inductor Case / Package | 2020(5050 Metric) |
| Добротность,Q | 15 |
| Frequency - Self Resonant | 25MHz |
| Индуктивность | 22мкГн |
| Current - Saturation (Isat) | 1.1A |
| Inductance Frequency - Test | 100 kHz |
| Способ монтажа | SMD/SMT |
| Maximum Operating Temperature | +125°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Длина корпуса,мм | 5 |
| Maximum Self Resonant Frequency | 25MHz |
| Ток Насыщения (Isat) | 1.1А |
| Линейка Продукции | SRN5020TA |
| Допуск Индуктивности | ±20% |
| Рабочая температура,С | -55…+125 |
| Конструкция Проводника | На Половину Экранированный |
| Активное сопротивление,Ом | 0.225 |
| Диаметр (ширина)корпуса,мм | 5 |
| Корпус Силового Индуктора | 5мм x 5мм x 1, 8мм |
| Максимальное DC Сопротивление | 0.225Ом |
| Максимальный постоянный ток,мА | 1100 |
| Номинальная индуктивность, мкГн | 22 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |