SMF10A-E3-08, Uni-Directional TVS Diode, 200W, 2-Pin DO-219AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022604176
- Артикул
- SMF10A-E3-08
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SMF
- ECCN
- EAR99
- PPAP
- No
- Type
- Zener
Цена по запросу
(от 34,43 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Однонаправленный TVS-диод Vishay SMF DO-219AB в корпусе для поверxностного монтажа с защитой от электростатического разряда имеет напряжение отключения 10 В и напряжение обратного пробоя 11 В.
Технические параметры
| Case | SMF |
| ECCN | EAR99 |
| PPAP | No |
| Type | Zener |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Technology | eSMP® |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SMF |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Applications | General Purpose |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | DO-219AB |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | DO-219AB |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Type of diode | TVS |
| Direction Type | Uni-Directional |
| Package / Case | DO-219AB |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 0.1µA |
| Supplier Package | SMF |
| Мощность | 200 |
| Breakdown Voltage | 11.1V |
| Power - Peak Pulse | 200W |
| Base Product Number | SMF10 -> |
| Diode Configuration | Single |
| Полярность | Однонаправленный |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Power Line Protection | No |
| Capacitance Value (pF) | 562(Typ) |
| Max. off-state voltage | 10V |
| Capacitance @ Frequency | 562pF @ 1MHz |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Supplier Device Package | SMF |
| Unidirectional Channels | 1 |
| Maximum Clamping Voltage | 17V |
| Minimum Breakdown Voltage | 11.1V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 11.1V |
| Maximum Working Voltage (V) | 10 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 11.8A |
| Maximum Clamping Voltage (V) | 17 |
| Maximum Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Peak Pulse Power Dissipation | 200W |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 17V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Peak Pulse Power Dissipation (W) | 200 |
| Reverse Stand-Off Voltage (Vrwm) | 10V |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 10V |
| Features of semiconductor devices | ESD protection |
| Peak Pulse Current (Ipp)@10/1000us | 11.8A |
| Current - Peak Pulse (10/1000Вµs) | 11.8A |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Количество каналов | 1 |
| Peak Pulse Power Dissipation (Ppp)@10/1000us | 200W |
| Типовое рабочее напряжение | 10 |
| Максимальный импульсный ток | 11.8 |
| Максимальное напряжение фиксации | 17 |
| Минимальное пробивное напряжение | 11.1 |