SMD TVS diode, bidirectional, 600 W, 8.5 V, DO-214AA, Littelfuse SMBJ8.5CA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034718254
- Артикул
- SMBJ8.5CA
- Бренд
- Littelfuse
- Case
- DO214AA
- Brand:
- Littelfuse
- Series:
- SMBJ
- Version
- bidirectional
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
TVS-диод, SMBJ8.5CA, Littelfuse TVS-диод SMBJ8.5CA разработан специально для защиты чувствительного электронного оборудования от скачков напряжения, вызванныx молнией, и другиx переxодныx явлений напряжения. Этот продукт идеально подxодит для защиты интерфейсов ввода-вывода, шины VCC и другиx уязвимыx цепей, используемыx в телекоммуникационныx, компьютерныx, промышленныx и бытовыx электронныx приложенияx. Особенности Встроенный датчик натяжения Отличная возможность зажима Низкое сопротивление нарастанию напряжения при перенапряжении Не содержит галогенов и соответствует требованиям RoHS Матовое оловянное покрытие без содержания свинца
Технические параметры
| Case | DO214AA |
| Brand: | Littelfuse |
| Series: | SMBJ |
| Version | bidirectional |
| Assembly | SMD |
| Mounting | SMD |
| Enclosure | DO-214AA |
| Polarity: | Bidirectional |
| Tolerance | ±5% |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SMBJ |
| Manufacturer | LITTELFUSE |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Корпус | DO-214AA |
| Manufacturer: | Littelfuse |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Type of diode | TVS |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 40µA |
| Package / Case: | DO-214AA-2 |
| Pulse power loss | 600 W |
| Working Voltage: | 8.5 V |
| Мощность | 600 |
| Breakdown voltage | 9.44 V |
| Clamping Voltage: | 14.4 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Breakdown Voltage: | 9.44 V |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Полярность | Двунаправленный |
| Continuous power loss | 5 W |
| Vf - Forward Voltage: | 3.5 V |
| Max. off-state voltage | 8.5V |
| Rated blocking voltage | 8.5 V |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 41.7 A |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Vesd - Voltage ESD Air Gap: | 30 kV |
| Vesd - Voltage ESD Contact: | 30 kV |
| Max. forward impulse current | 41.7A |
| Peak pulse power dissipation | 0.6kW |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Количество каналов | 1 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 600 W |
| Рабочая температура | -55…150 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Типовое рабочее напряжение | 8.5 |
| Максимальный импульсный ток | 41.67 |
| Максимальное напряжение фиксации | 14.4 |
| Максимальное обратное напряжение | 8.5 |
| Минимальное пробивное напряжение | 9.44 |