SMBJ58A-E3/52, ESD Protection Diodes / TVS Diodes 58V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026323587
- Артикул
- SMBJ58A-E3/52
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Serie
- SMBJ
- Brand:
- Vishay General Semiconductor
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 12,67 ₽)
Минимальный заказ: 750 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: TVS, 600Вт, 64,4В, 6,4А, однонаправленный, SMB, бобина, лента Характеристики Категория Диод Тип защитный
Технические параметры
| PPAP | No |
| Serie | SMBJ |
| Brand: | Vishay General Semiconductor |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Package | SMB |
| Series: | SMBJ_A |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Polarity: | Unidirectional |
| Tolerance | 5% |
| Automotive | No |
| Lead Shape | J-Lead |
| Tradename: | TransZorb |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SMBJ |
| Application | UNIDIRECTI |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Корпус | DO-214AA |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Direction Type | Uni-Directional |
| PowerDissipati | 0.6 kW |
| Breakdown-V(BR) | 68 V |
| Clamping voltag | 93.6 V |
| Package / Case: | DO-214AA-2 |
| Part # Aliases: | SMBJ58D-M3/H SMBJ58D-M3/I |
| Stand-off V Vwm | 58 V |
| Supplier Package | SMB |
| Working Voltage: | 58 V |
| Мощность | 600 |
| Clamping Voltage: | 93.6 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Test Current (mA) | 1 |
| Breakdown Voltage: | 64.4 V |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Полярность | Однонаправленный |
| Standard Package Name | DO-214-AA |
| Vf - Forward Voltage: | 3.5 V |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 6.4 A |
| Supplier Temperature Grade | Commercial |
| Maximum Forward Voltage (V) | 3.5 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Clamping Voltage (V) | 93.6 |
| Minimum Breakdown Voltage (V) | 64.4 |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Peak Pulse Current (A) | 6.4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5000 Ta=50C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Peak Forward Surge Current (A) | 100 |
| Peak Pulse Power Dissipation (W) | 600 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество каналов | 1 |
| Maximum Reverse Leakage Current (uA) | 1 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 600 W |
| Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) | 58 |
| Рабочая температура | -55 ~ 150 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
| Типовое рабочее напряжение | 58 |
| Максимальный импульсный ток | 6.4 |
| Максимальное напряжение фиксации | 93.6 |
| Максимальное обратное напряжение | 58 |
| Минимальное пробивное напряжение | 64.4 |