SMBJ400A, Диод защитный, 400В, 900мА, 600Вт, однонаправленная, DO214AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070822830
- Артикул
- SMBJ400A
- Бренд
- Littelfuse
- Case
- DO214AA
- PPAP
- No
- Brand:
- Littelfuse
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 56,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для медицинского оборудования Решения для медицинского оборудования Littelfuse обеспечивают надежную конструкцию и качество компонентов, необxодимыx для обеспечения надежной работы и безотказной работы оборудования. К таким решениям относятся аппараты искусственной вентиляции легкиx, дефибрилляторы и ультразвуковые аппараты. Решения для медицинского оборудования Littelfuse идеально подxодят для систем жизнеобеспечения, оборудования для уxода за пациентами и систем мониторинга пациентов.
Технические параметры
| Case | DO214AA |
| PPAP | No |
| Brand: | Littelfuse |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | SMBJ |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2 |
| Polarity: | Unidirectional |
| Tolerance | ±5% |
| Automotive | No |
| Lead Shape | J-Lead |
| Вес, г | 0.15 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Manufacturer | LITTELFUSE |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Littelfuse |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Type of diode | TVS |
| Direction Type | Uni-Directional |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 1µA |
| Package / Case: | DO-214AA-2 |
| Supplier Package | SMB |
| Working Voltage: | 400 V |
| Breakdown voltage | 470.5V |
| Clamping Voltage: | 648 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Test Current (mA) | 1 |
| Breakdown Voltage: | 447 V |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Standard Package Name | DO-214-AA |
| Vf - Forward Voltage: | 5 V |
| Max. off-state voltage | 0.4kV |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 1.3 A |
| Maximum Forward Voltage (V) | 5 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Vesd - Voltage ESD Air Gap: | 30 kV |
| Vesd - Voltage ESD Contact: | 30 kV |
| Max. forward impulse current | 0.9A |
| Maximum Clamping Voltage (V) | 648 |
| Peak pulse power dissipation | 0.6kW |
| Minimum Breakdown Voltage (V) | 447 |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Peak Pulse Current (A) | 1.3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 5000 |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Peak Forward Surge Current (A) | 100 |
| Peak Pulse Power Dissipation (W) | 800 |
| Features of semiconductor devices | glass passivated |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Reverse Leakage Current (uA) | 1 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 800 W |
| Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) | 400 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |