SMBJ12A-E3/52, ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V 600W UniDir TransZorb 5% Tol
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025474662
- Артикул
- SMBJ12A-E3/52
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- ECCN
- EAR99
- Type
- Zener
- HTSUS
- 8541.10.0080
- Width
- 3.94mm
Цена по запросу
(от 15,15 ₽)
Минимальный заказ: 750 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Диод: TVS, 600Вт, 13,3В, 30,2А, однонаправленный, SMB, бобина, лента Характеристики Категория Диод Тип защитный
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | Zener |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
| Width | 3.94mm |
| Brand: | Vishay General Semiconductor |
| Series | TransZorbВ® -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | SMBJ_A |
| Pin Count | 2 |
| Polarity: | Unidirectional |
| Tradename: | TransZorb |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SMBJ |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Applications | General Purpose |
| Package Type | DO-214AA(SMB) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Test Current | 1mA |
| Корпус | SMB(DO-214AA) |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DO-214AA-2 |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Direction Type | Uni-Directional |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part # Aliases: | SMBJ12A SMBJ12D-M3/H SMBJ12D-M3/I |
| Working Voltage: | 12 V |
| Мощность | 600 Вт |
| Clamping Voltage: | 19.9 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Breakdown Voltage: | 13.3 V |
| Power - Peak Pulse | 600W |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Base Product Number | SMBJ12 -> |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Полярность | Однонаправленный |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Power Line Protection | No |
| Vf - Forward Voltage: | 3.5 V |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMBJ) |
| Unidirectional Channels | 1 |
| Maximum Clamping Voltage | 19.9V |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 30.2 A |
| Minimum Breakdown Voltage | 13.3V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
| Maximum Peak Pulse Current | 30.2A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Peak Pulse Power Dissipation | 600W |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.9V |
| Maximum Reverse Leakage Current | 5µA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
| Maximum Reverse Stand-off Voltage | 12V |
| Current - Peak Pulse (10/1000Вµs) | 30.2A |
| Количество каналов | 1 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 600 W |
| Рабочая температура | -55…+150 C |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
| Типовое рабочее напряжение | 12 В |
| Максимальный импульсный ток | 157 А(8/20 мкс) |
| Максимальное напряжение фиксации | 25.3 В |
| Минимальное пробивное напряжение | 13.3 В |