SMBJ120A, TVS Diode, SMBJ, Unidirectional, 120 V, 193 V, DO-214AA (SMB), 2 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000863537
- Артикул
- SMBJ120A
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- PPAP
- No
- Width
- 3.95mm
- Brand:
- Taiwan Semiconductor
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 66 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Соединение с пассивированным стеклом Обеспечивает пиковую импульсную мощность 600 Вт, отличную возможность зажима, Низкое сопротивление скачкообразным перенапряжениям
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Taiwan Semiconductor |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | SMBJ |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 2 |
| Polarity: | Unidirectional |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Inward L-Lead |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SMBJ |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Package Type | DO-214AA(SMB) |
| Subcategory: | TVS Diodes/ESD Suppression Diodes |
| Test Current | 1mA |
| Корпус | DO-214AA(SMB) |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Taiwan Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | TVS Diodes |
| Direction Type | Uni-Directional |
| Package / Case: | DO-214AA-2 |
| Supplier Package | SMB |
| Working Voltage: | 120 V |
| Мощность | 600 |
| Clamping Voltage: | 193 V |
| Product Category: | ESD Suppressors/TVS Diodes |
| Test Current (mA) | 1 |
| Breakdown Voltage: | 133 V |
| Termination Style: | SMD/SMT |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Clamping Voltage Max | 193В |
| Полярность | Однонаправленный |
| Standard Package Name | DO-214-AA |
| Vf - Forward Voltage: | 5 V |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Maximum Clamping Voltage | 193V |
| Reverse Standoff Voltage | 120В |
| Ipp - Peak Pulse Current: | 3.2 A |
| Minimum Breakdown Voltage | 133V |
| Maximum Peak Pulse Current | 3.1A |
| Maximum Forward Voltage (V) | 5 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Clamping Voltage (V) | 193 |
| Peak Pulse Power Dissipation | 600W |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Breakdown Voltage (V) | 133 |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Peak Pulse Current (A) | 3.2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Peak Forward Surge Current (A) | 100 |
| Maximum Reverse Leakage Current | 5µA |
| Peak Pulse Power Dissipation (W) | 600 |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Maximum Reverse Stand-off Voltage | 120V |
| Линейка Продукции | SMBJ |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 |
| Maximum Reverse Leakage Current (uA) | 1 |
| Pppm - Peak Pulse Power Dissipation: | 600 W |
| Стиль Корпуса Диода | DO-214AA |
| Maximum Reverse Stand-Off Voltage (V) | 120 |
| Рабочая температура | -55 ~ 150 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Типовое рабочее напряжение | 120 |
| Максимальное Напряжение Пробоя | 147В |
| Импульсная Рассеиваемая Мощность | 600Вт |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение фиксации | 193 |
| Максимальное обратное напряжение | 120 |
| Минимальное пробивное напряжение | 133 |
| Минимальное Значение Напряжения Пробоя | 133В |
| Полярность Ограничителя Бросков Напряжения | Однонаправленный |