SKM200GB12T4, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,2кВ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002728991
- Артикул
- SKM200GB12T4
- Бренд
- Semikron Elektronik
- Вес, г
- 321.7
- Версия
- D56
- Корпус
- SEMITRANSR 3(Case D56)
- Монтаж
- винтами
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ SKM200GB12T4 от SEMIKRON – это мощный IGBT модуль, монтируемый винтами, что обеспечивает надежное соединение в различных электронных применениях. Способен выдерживать ток коллектора до 241 А, что делает его отличным выбором для систем с высокими требованиями к электропитанию. Корпус SEMITRANS3 гарантирует долговечность и стабильность работы устройства даже в условиях интенсивного использования. Используйте SKM200GB12T4 для повышения эффективности и надежности ваших электронных схем. Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT Монтаж винтами Ток коллектора, А 241 Корпус SEMITRANS3
Технические параметры
| Вес, г | 321.7 |
| Версия | D56 |
| Корпус | SEMITRANSR 3(Case D56) |
| Монтаж | винтами |
| Структура | полумост |
| Топология | полумост IGBT |
| Тип модуля | IGBT |
| Производитель | SEMIKRON |
| Импульсный ток | 600А |
| Ток коллектора | 241А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Рабочая температура | -40…125°C |
| Электрический монтаж | винтами |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 313 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |