SKM200GB125D, Полумост БТИЗ, URmax 1,2кВ, Ic 160А, Ifsм 300А, SEмITrans3, В D56
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070138488
- Артикул
- SKM200GB125D
- Бренд
- Semikron Elektronik
- Case
- SEMITRANS3
- Version
- D56
- Topology
- IGBT half-bridge
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 67 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка IGBT-модулей SEMITOP® от Semikron включает в себя два последовательно соединенныx (полумостовыx) IGBT-устройства.
Технические параметры
| Case | SEMITRANS3 |
| Version | D56 |
| Topology | IGBT half-bridge |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 325.4 |
| Application | frequency changer, Inverter |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Package Type | SEMITRANS3 |
| Корпус | SEMITRANS 3 |
| Configuration | Dual Half Bridge |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Type of module | IGBT |
| Collector current | 160A |
| Структура | полумост |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Mechanical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Semiconductor structure | transistor/transistor |
| Pulsed collector current | 300A |
| Transistor Configuration | Series |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 300 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | - |