SISA04DN-T1-GE3, MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025474772
- Артикул
- SISA04DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 52Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0018Ом
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Не содержит галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21 • Силовой МОП-транзистор TrenchFET® IV поколения • Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0018Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |