SIRA99DP-T1-GE3, MOSFETs POWRPK P CHAN 30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025500505
- Артикул
- SIRA99DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 5mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 57 ns
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальный МОП-транзистор SiRA99DP 30 В P-канальный МОП-транзистор Vishay Semiconductors SiRA99DP 30 В - это мощный МОП-транзистор TrenchFET ® четвертого поколения. МОП-транзистор SiRA99DP обладает низким сопротивлением при включении, что сводит к минимуму падение напряжения и уменьшает потери проводимости. Этот МОП-транзистор SiRA99DP работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Силовой МОП-транзистор доступен в одной комплектации PowerPak ® SO-8. Типичные области применения включают в себя переключатель нагрузки, адаптер и зарядное устройство, защиту аккумулятора и управление приводом двигателя.
Технические параметры
| Width | 5mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 57 ns |
| Rise Time: | 183 ns |
| Tradename: | PowerPAK |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 172.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 172.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +16 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 69 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 195 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 114 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |