Моя заявка (0)
SIRA18ADP-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025618249
Артикул
SIRA18ADP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
PowerPAK® SO8
Mounting
SMD
Technology
TrenchFET®
Вес, г
0.14
Цена по запросу
(от 31,26 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Технические параметры

CasePowerPAK® SO8
MountingSMD
TechnologyTrenchFET®
Вес, г0.14
Длина6.15 mm
СерияSIR
Gate charge21.5nC
Channel TypeN Channel
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Высота1.04 mm
Ширина5.15 mm
Drain current24.5A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation14.7Вт
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage-16…20V
On-state resistance13.5mΩ
Drain-source voltage30V
Pulsed drain current70A
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Power Dissipation (Pd)14.7W
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)21.5nC@10V
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK-SO-8
Input Capacitance (Ciss@Vds)1nF@15V
Continuous Drain Current (Id)30.6A
Drain Source On State Resistance0.007Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30.6А
Пороговое Напряжение Vgs2.4В
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK SO
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация