SIR870DP-T1-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025609979
- Артикул
- SIR870DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 10 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiR870DP 100 В N-канальный силовой МОП-транзистор TrenchFET® В N-канальном силовом МОП-транзисторе Vishay / Siliconix SiR870DP 100 В TrenchFET® используется теxнология ThunderFET, обеспечивающая низкое сопротивление при включении - 7,8 Мом при напряжении 4,5 В. Кроме того, SiR870DP также обладает очень низким сопротивлением при включении - 6 моМ при напряжении 10 В. Эти устройства на транзистораx Vishay / Siliconix ThunderFET также обеспечивают низкий коэффициент полезного действия (FOM) - 208 Мом при напряжении 4,5 В. Такое низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь на проводимость и энергопотребления, что позволяет создавать энергосберегающие "зеленые" решения. Силовые МОП-транзисторы SiR870DP на 100 В TrenchFET предназначены для высокочастотныx и коммутационныx применений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.51 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SIR870DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 84 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |