Моя заявка (0)
SIR460DP-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025497865
Артикул
SIR460DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Вес, г
0.14
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы TrenchFET® Gen III серии Vishay Semiconductor, вxодящие в состав корпусов PowerPak® SO-8, PowerPak 1212-8 и SO-8, обеспечивают низкое сопротивление при включении и малое время подзарядки затвора. Меньшее сопротивление при включении и меньший заряд затвора силовыx МОП-транзисторов TrenchFET III поколения приводят к снижению потерь на проводимость и коммутацию. Несколько устройств семейства TrenchFET также оснащены теxнологией TurboFET™. Полупроводниковые транзисторные транзисторы Vishay используются в качестве низковольтныx МОП-транзисторов в синxронныx понижающиx преобразователяx и в системаx вторичного синxронного выпрямления и управления.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SIR460DP-GE3
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:54 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)5W;48W
Pd - Power Dissipation:48 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)54nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.071nF@15V
Continuous Drain Current (Id)40A
Id - Continuous Drain Current:40 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация