SIR426DP-T1-GE3, MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025620971
- Артикул
- SIR426DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIR
- Tradename:
- TrenchFET, PowerPAK
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 40В 30A 4,8Вт 0,0105Ом PoВтeОмPakSO8
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIR |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SIR426DP-GE3 |
| Power Dissipation | 41.7Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 41.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0085Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.5 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 41.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0085Ом |