SIHB5N80AE-GE3, MOSFETs TO263 800V 4.4A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119934
- Артикул
- SIHB5N80AE-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- E-Series
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Серия
- E SERIES
Цена по запросу
(от 175,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Система Vishay Siliconix поддерживает данные о надежности полупроводниковыx теxнологий, а надежность упаковки зависит от всеx соответствующиx условий эксплуатации.
Технические параметры
| Series | E-Series |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | E SERIES |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Типовое рабочее напряжение | 800 |
| Максимальный импульсный ток | 4.4 |