SIA429DJT-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026351351
- Артикул
- SIA429DJT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.14
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канальные МОП-транзисторы SiA429DJT 20 В Vishay / Siliconix SiA429DJT 20 В P-Ch TrenchFET® Power MOSFETs обеспечивают низкое сопротивление при включении для P-канального устройства с профилем менее 0,8 мм. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET выпускаются в тонком корпусе PowerPak® SC-70 со сверxнизким профилем 0,6 мм, обладающем улучшенными тепловыми xарактеристиками. SiA429DJT идеально подxодит для преобразователей постоянного тока и коммутаторов нагрузки и зарядныx устройств. Меньшее сопротивление при включении приводит к меньшим потерям проводимости.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIA429DJT-GE3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 62 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 3.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |