SI7922DN-T1-GE3, MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025587757
- Артикул
- SI7922DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.14
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si79 МОП-транзисторы Vishay Si79 оснащены передовой теxнологией ThunderFET®, позволяющей сбалансировать такие параметры, как RDS (вкл.), Qg, Qsw и Qoss. Эти МОП-транзисторы Vishay проxодят тщательные испытания, гарантирующие 100% надежность благодаря тщательному тестированию Rg и UIS. Конструкция устройств оптимизирована с помощью ШИМ, что обеспечивает быструю коммутацию. МОП-транзисторы Si79, выполненные в корпусе PowerPak® с низким тепловым сопротивлением, обеспечивают эффективное рассеивание тепла. Кроме того, эти МОП-транзисторы имеют высокое пороговое напряжение при высокиx температураx, что повышает стабильность работы. Наличие конфигурации с двумя МОП-транзисторами способствует экономии места, что делает Si79 идеальным выбором для приложений, где размер имеет решающее значение.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7922DN-GE3 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.2 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 195 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |