SI7913DN-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025506069
- Артикул
- SI7913DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SI7
- Channel Type
- P Channel
Цена по запросу
(от 182 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SI7 |
| Channel Type | P Channel |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Power Dissipation N Channel | 1.3Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.3Вт |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Линейка Продукции | Trench Series |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.066Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.066Ом |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.8 W |
| Другие названия товара № | SI7913DN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.4 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 7.4А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 7.4А |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 37 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |