SI7686DP-T1-E3, MOSFET 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025489714
- Артикул
- SI7686DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Серия
- SI7
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 166 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V 35A 37.9W 9.5mohm @ 10V
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Серия | SI7 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 37.9 W |
| Другие названия товара № | SI7686DP-E3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 50 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |