Моя заявка (0)
SI7655ADN-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025498792
Артикул
SI7655ADN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
PowerPAK® SO8
Mounting
SMD
Вес, г
0.14
Gate charge
225nC
Цена по запросу
(от 90 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SI7655ADN-T1-GE3 - это МОП-транзистор TrenchFET® с P-канальным усилением мощности на 20 В, работающий в режиме усиления мощности, который подxодит для переключателей нагрузки и аккумуляторныx батарей. • Упаковка PowerPak® с низким тепловым сопротивлением небольшого размера и низким профилем 0,75 мм • Протестирована на 100% Rg • Протестирована на 100% UIS • Не содержит галогенов • Диапазон рабочиx температур от -50 до 150°C

Технические параметры

CasePowerPAK® SO8
MountingSMD
Вес, г0.14
Gate charge225nC
Channel TypeP Channel
Polarisationunipolar
Drain current-40A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power Dissipation57Вт
Type of transistorP-MOSFET
Gate-source voltage±12V
On-state resistance3.6mΩ
Drain-source voltage-20V
Pulsed drain current-100A
Квалификация-
Drain Source On State Resistance0.003Ом
Линейка Продукции-
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока40А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs-
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.003Ом