SI7464DP-T1-E3, MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025567632
- Артикул
- SI7464DP-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI7
- Tradename:
- TrenchFET
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Моп-транзистор Vishay Semiconductor N-channel 200 В (D-S) с быстрой коммутацией 1,8 А (Ta) и 1,8 Вт (Ta) для поверxностного монтажа предназначен для использования в качестве основного бокового переключателя.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI7 |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Part # Aliases: | SI7464DP-T1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 4.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |