SI7450DP-T1-GE3, MOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025728206
- Артикул
- SI7450DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 25 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Si74 В МОП-транзистораx Vishay Si74 используется теxнология TrenchFET®, которая снижает сопротивление при включении, обеспечивая надежность и производительность в диапазоне от 30 до 250 В. N- и P-канальные МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI7450DP-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 5.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |