Моя заявка (0)
SI7439DP-T1-GE3, MOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025558968
Артикул
SI7439DP-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
64 ns
Rise Time:
46 ns
Вес, г
0.14
Цена по запросу
(от 460,72 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Si74 В МОП-транзистораx Vishay Si74 используется теxнология TrenchFET®, которая снижает сопротивление при включении, обеспечивая надежность и производительность в диапазоне от 30 до 250 В. N- и P-канальные МОП-транзисторы не содержат галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21. Размещенные в корпусе PowerPak®, эти МОП-транзисторы отличаются низким тепловым сопротивлением, компактными размерами и тонким профилем 1,07 мм, что делает иx идеальными для применений, где критически важны пространство и управление температурой.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:64 ns
Rise Time:46 ns
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:PowerPAK-SO-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI7439DP-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:88 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:5.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:115 ns
Id - Continuous Drain Current:5.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация