SI4599DY-T1-GE3, MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025564152
- Артикул
- SI4599DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Width
- 4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI4
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Width | 4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI4 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 9 ns, 9 ns |
| Rise Time: | 10 ns, 12 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Gate charge | 38/20nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SOIC |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 6.8/-5.8A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4599DY-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Power dissipation | 3.1/3W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.7 nC, 25 nC |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 62/42.5mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 40/-40V |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;3.1W |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W, 3.1 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 3 W, 3.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 640pF@20V |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 30 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.8A;5.8A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.8 A, 6.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S, 22 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 42.5 mΩ, 62 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.7 A, 6.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35.5 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V, 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |