SI4532CDY-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025632630
- Артикул
- SI4532CDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand
- Vishay
- Width
- 4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.14
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N/P-MOSFET, TrenchFET®, полевой, 30В, 4,9/-3,4А, SO8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand | Vishay |
| Width | 4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.14 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 2.78 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V, 7.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ, 140 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A, 6 A |