SI4455DY-T1-GE3, MOSFETs -150V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025627405
- Артикул
- SI4455DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.14 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package Width | 4(Max) |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package Length | 5(Max) |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI4455DY-GE3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 42 nC |
| Process Technology | TrenchFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 5.9W |
| Typical Fall Time (ns) | 34|35 |
| Typical Rise Time (ns) | 95|28 |
| Pd - Power Dissipation: | 5.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.19nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27.5@10V|23.2@6V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11|20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 150 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 38|52 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 315 mOhms |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1190@50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 295@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |