SI1553CDL-T1-GE3, MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025524913
- Артикул
- SI1553CDL-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 1.35mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI1
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Термоусиленные МОП-транзисторы с парой каналов N и P Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с парой каналов N и P объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы спроектированы таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N- и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Width | 1.35mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI1 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOT-363 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 340mW |
| Pd - Power Dissipation: | 340 mW |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 340 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.2 nC @ 10 V, 1.9 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 38pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 700mA;500mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 700 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.48 Ω, 578 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 400 mA, 700 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms, 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |