Моя заявка (0)
SI1443EDH-T1-BE3, MOSFETs SOT363 P-CH 30V 4A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025487025
Артикул
SI1443EDH-T1-BE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Series:
SI1
Fall Time:
420 ns
Rise Time:
220 ns
Цена по запросу
(от 32 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Series:SI1
Fall Time:420 ns
Rise Time:220 ns
Tradename:TrenchFET
Вес, г0.14
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:SI1443EDH-T1-GE3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:28 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:125 ns
Typical Turn-Off Delay Time:1800 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:43 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000