SI1012R-T1-GE3, MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025616266
- Артикул
- SI1012R-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.14
- Длина
- 1.575 mm
- Серия
- SI1
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 34,49 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 0,35А, 0,08Вт, SC75A Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Длина | 1.575 mm |
| Серия | SI1 |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 0.76 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SC-75A-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 750 pC |
| Время нарастания | 5 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 175 mW |
| Другие названия товара № | SI1012R-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 S |