Моя заявка (0)

SFH 314 FA, (Q62702P1675), Фототранзистор 5мм/NPN/740-1080нм/ Ipce=0.63mA/40°

SFH 314 FA, (Q62702P1675), Фототранзистор 5мм/NPN/740-1080нм/ Ipce=0.63mA/40°

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8805333114
Артикул
SFH 314 FA
Бренд
AMS OSRAM GROUP
Type:
Silicon NPN Phototransistor
Width
5.9mm
Brand:
ams OSRAM
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 45,96 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Фототранзистор 5мм/NPN/740-1080нм/Ipce=0.63mA/40°

Технические параметры

Type:Silicon NPN Phototransistor
Width5.9mm
Brand:ams OSRAM
MountingThrough Hole
PolarityNPN
Product:Phototransistors
Pin Count2
Packaging:Bulk
Вес, г0.4
Wavelength:870 nm
Dark Current200(nA)
Package Type5mm(T-1 3/4)
Rad HardenedNo
Subcategory:Optical Detectors and Sensors
КорпусT1 3/4(5mm)
Dark Current:200 nA
Manufacturer:ams OSRAM
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:Phototransistors
Light Current:2.5 mA
Number of Pins2
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:T-1 3/4
Part # Aliases:Q62702P1675 Q62702P1675
Peak Wavelength870(nm)
Peak Wavelength:870 nm
Collector Current50mA
Lens Color/Style:Black
Power Dissipation0.2(W)
Product Category:Phototransistors
Typical Fall Time14µs
Typical Rise Time14µs
Number of Channels1
Number of Elements1
Spectrums DetectedInfrared
Half-Intensity Angle80(deg)
Maximum Dark Current200nA
Operating Temp Range-40C to 100C
Phototransistor TypePhototransistor
Угол Обзора80°
Collector Current (DC)0.05(A)
Pd - Power Dissipation:200 mW
Angle of Half Sensitivity80 °
Collector-Emitter Voltage70(V)
Maximum Wavelength Detected1080nm
Minimum Wavelength Detected740nm
Half Intensity Angle Degrees:40 deg
Spectral Range of Sensitivity740 → 1080 nm
Maximum Operating Temperature:+100 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Emitter-Collector Voltage (Max)7(V)
Энергопотребление200мВт
Maximum On-State Collector Current:50 mA
Количество Выводов2вывод(-ов)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:70 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage:70 V
Operating Temperature ClassificationIndustrial
Collector-Emitter Saturation Voltage:150 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Стиль Корпуса ТранзистораRadial Leaded
Типичное Значение Длины Волны870нм

Техническая документация