SCT2H12NYTB, SiC MOSFETs N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026422199
- Артикул
- SCT2H12NYTB
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time
- 74 ns
Цена по запросу
(от 810 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 1,7 КВ, 4 А, TO-268; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:4 А; Напряжение источника стока Vds: 1,7 кВ; Сопротивление включения Rds(on): 1,15 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:18 В; Пороговое напряжение Vgs:2,8 В; Рассеиваемая мощность Pd: 44 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-268; Количество контактов: 2; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC:Без SVHC (15 января 2018 г.)
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time | 74 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 21 ns |
| Fall Time: | 74 ns |
| Rise Time: | 21 ns |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | SiC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-268-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-268-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SCT2H12NY |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 400 |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation | 44 W |
| Pd - Power Dissipation: | 44 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -6 V to 22 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +22 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Forward Transconductance - Min | 400 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 400 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.15 Ohms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.7 kV |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |