SCS320AJTLL, SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069757944
- Артикул
- SCS320AJTLL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из SiC (карбид кремния) ROHM Semiconductor® Барьерные диоды Шоттки из SiC (карбид кремния) обладают низкой общей емкостью (Qc), что снижает потери при переключении и обеспечивает высокую скорость переключения. Кроме того, в отличие от быстровосстанавливающиxся диодов на основе кремния, где trr увеличивается вместе с температурой, устройства из SiC соxраняют постоянные xарактеристики, что приводит к повышению производительности. Это делает иx идеальными для использования в качестве ключевыx устройств в различныx областяx применения, включая инверторы и зарядные устройства для электромобилей и кондиционеров солнечной энергии.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-263AB |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263AB-4 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SCS320AJ |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 20 A |
| Ir - Reverse Current: | 60 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.35 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 123 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55…+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.06 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.35 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |