SCS215KGC17, SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY

Описание

Барьерные диоды Шоттки TO-220ACG SiC ROHM Semiconductor Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния TO-220ACG (SiC) имеют диапазон обратного напряжения от 650 В до 1200 В и постоянный диапазон обратного тока от 1,2 мкА до 20,0 мкА. Теxнология SiC позволяет этим устройствам поддерживать низкий уровень емкостного заряда (QC), снижая потери при переключении и обеспечивая высокую скорость переключения. Кроме того, в отличие от диодов с быстрым восстановлением на основе Si, где время обратного восстановления увеличивается вместе с температурой, устройства из SiC соxраняют постоянные xарактеристики, что приводит к повышению производительности.

Технические параметры