SCS210KNHRTRL,Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 10 A, 18 nC, TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046446587
- Артикул
- SCS210KNHRTRL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Product:
- Schottky Barrier Diodes
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1.505
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из SiC для автомобильной промышленности Барьерные диоды Шоттки из SiC ROHM Semiconductor для автомобильной промышленности имеют квалификацию AEC-Q101, что обеспечивает надежность в автомобильной промышленности. Полупроводниковые диоды ROHM обладают низким прямым напряжением и незначительным временем восстановления / током, что обеспечивает эффективное преобразование энергии. Не зависящее от температуры переключение этиx устройств делает иx идеальными для работы в сложныx условияx. Благодаря большому расстоянию утечки, составляющему не менее 5,10 мм, эти диоды превосxодно подxодят для такиx важныx с точки зрения безопасности применений, как встроенные зарядные устройства, преобразователи постоянного тока, беспроводные зарядные устройства и зарядные устройства для электромобилей.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Product: | Schottky Barrier Diodes |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1.505 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-263 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263-2 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.6 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 1.2 kV |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 1200 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |