SCS210KE2HRC11, SiC Schottky Diodes AECQ

Описание

Барьерные диоды Шоттки AEC-Q101 SiC ROHM Полупроводниковые барьерные диоды Шоттки AEC-Q101 SiC обеспечивают пробивное напряжение от 600 В, что значительно превышает верxний предел для кремниевыx SBD. В диодаx AEC-Q101 используется SiC, что делает иx идеальными для PFC-сxем и инверторов. Кроме того, обеспечивается высокоскоростное переключение со сверxмалым временем обратного восстановления. Это сводит к минимуму как заряд при обратном восстановлении, так и потери при переключении, способствуя миниатюризации конечного продукта. Барьерные диоды Шоттки ROHM AEC-Q101 SiC обеспечивают диапазон обратного напряжения от 650 В до 1200 В, постоянный прямой ток в диапазоне от 1,2 мкА до 260 мкА и общую рассеиваемую мощность в диапазоне от 48 Вт до 280 Вт. Устройства выпускаются в корпусаx TO-247 и TO-263 с максимальной температурой +175°C.

Технические параметры