SBAV99LT1G, Small Signal Switching Diodes SS DUAL DIO SPCL TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005526685
- Артикул
- SBAV99LT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.10.00.80
- Type
- Small Signal Switching Diode
- Width
- 1.4mm
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 10,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ДИОД, СЛАБЫЙ СИГНАЛ, AEC-Q101, 100 В; Конфигурация диода: Двойная серия; Повторяющееся обратное напряжение Vrrm Max: 100 В; Прямой ток If(AV): 215 мА; Прямое напряжение VF Max: 1,25 В; Время обратного восстановления trr Max: 6 нс; Прямой импульсный ток Ifsm Max: 500 мА; Рабочая температура Макс.: 150°C; Тип корпуса диода: SOT-23; Количество контактов: 3; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| HTS | 8541.10.00.80 |
| Type | Small Signal Switching Diode |
| Width | 1.4mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-23 |
| Rad Hardened | No |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Dual Series |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 1.3 |
| Package Height | 0.94 |
| Package Length | 2.9 |
| Diode Technology | Silicon Junction |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Peak Rep Rev Volt | 100(V) |
| Product Depth (mm) | 1.3(mm) |
| Diode Configuration | Series |
| Product Height (mm) | 0.94(mm) |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Peak Forward Voltage | 1.25(V) |
| Peak Reverse Current | 1(uA) |
| Standard Package Name | SOT |
| Maximum Forward Current | 215(mA) |
| Power Dissipation (Max) | 300(mW) |
| Peak Forward Voltage (V) | 1.25@0.15A |
| Peak Reverse Current (uA) | 1 |
| Peak Reverse Recovery Time | 6(ns) |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Forward Voltage Drop | 1.25V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum DC Reverse Voltage (V) | 100 |
| Maximum Diode Capacitance (pF) | 1.5 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
| Peak Reverse Recovery Time (ns) | 6 |
| Peak Non-Repetitive Surge Current | 2(A) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Peak Reverse Repetitive Voltage (V) | 100 |
| Конфигурация диода | Последовательное соединение, 1-пара |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Peak Non-Repetitive Surge Current (A) | 2 |
| Maximum Continuous Forward Current (A) | 0.215 |
| Кол-во диодов в корпусе | 2 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance | 556°C/W |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, В | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) (А) | 0.215 |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If (В) | 1.25 |