SBAS16WT1G, Small Signal Diode, Single, 100 V, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8105663402
- Артикул
- SBAS16WT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- SC70
- Grade
- Automotive
- Speed
- Small Signal =< 200mA(Io), Any Speed
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диоды - общего назначения, управление питанием, коммутация SS SWCH DIO 75V TR
Технические параметры
| Case | SC70 |
| Grade | Automotive |
| Speed | Small Signal =< 200mA(Io), Any Speed |
| Mounting | SMD |
| Technology | Standard |
| Вес, г | 0.742 |
| Серия | BAS16W |
| Application | automotive industry |
| Capacitance | 2pF |
| Load current | 0.2A |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Корпус | SC-70 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Type of diode | switching |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Продукт | Switching Diodes |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 30µA |
| Power dissipation | 0.2W |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Max. forward voltage | 1.25V |
| Reverse recovery time | 6ns |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Max. off-state voltage | 100V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Supplier Device Package | SC-70-3(SOT323) |
| Тип продукта | Diodes - General Purpose, Power, Switching |
| If - прямой ток | 200 mA |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Diodes Rectifiers |
| Reverse Recovery Time (trr) | 6 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-70-3 |
| Ir - обратный ток | 50 uA |
| Max. forward impulse current | 0.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 75 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA |
| Категория продукта | Диоды - общего назначения, управление питанием, ко |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Vf - прямое напряжение | 1.25 V |
| Время восстановления | 6 ns |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Материал полупроводника | Кремний |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Максимальная ёмкость диода | 2 pF |
| Максимальный ток перегрузки | 0.5 A |
| Пиковое обратное напряжение | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.25 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 100 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 0.5 |