Моя заявка (0)

InfIneon NOR 512MbIt CFI Flash Memory 64-PIn BGA, S29GL512T11FHIV20

InfIneon NOR 512MbIt CFI Flash Memory 64-PIn BGA, S29GL512T11FHIV20

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063773101
Артикул
S29GL512T11FHIV20
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Brand:
Infineon/Cypress
Speed:
110 ns
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 4 141,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Флэш-память S29GL01GT/512GT MirrorBit® Eclipse™ Флэш-память Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™ обеспечивает время доступа к странице до 15 секунд, а время произвольного доступа к соответствующей странице - до 100 секунд. Эти устройства оснащены буфером записи, который позволяет запрограммировать максимум 256 слов/512 байт за одну операцию. Эта функция позволяет сократить время программирования по сравнению со стандартными алгоритмами программирования. Infineon Technologies S29GL01GT / S29GL512GT идеально подxодит для современныx встраиваемыx приложений, требующиx более высокой плотности, производительности и снижения энергопотребления.

Технические параметры

PPAPNo
Brand:Infineon/Cypress
Speed:110 ns
EU RoHSCompliant
Series:S29GL512T
MountingSurface Mount
Cell TypeNOR
ECCN (US)3A991.b.1.a
PackagingTray
Page Size32byte
Pin Count64
Standard:Common Flash Interface(CFI)
AutomotiveNo
Boot BlockYes
Packaging:Tray
Вес, г1
ECC SupportYes
Memory Size512Mbit
PCB changed64
Part StatusActive
Sector Size128Kbyte x 512
Timing TypeAsynchronous
ArchitectureSectored
Memory Size:512 Mbit
Memory Type:NOR
Organisation64M x 8 bit
Package TypeBGA
Subcategory:Memory и Data Storage
Timing Type:Asynchronous
Architecture:Sector
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:64 M x 8/32 M x 16
Package/Case:FBGA-64
Product Type:NOR Flash
Interface TypeCFI
Data Bus Width:8 bit/16 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Number of Words64M
ProgrammabilityYes
Supplier PackageFortified BGA
Product Category:NOR Flash
Block OrganizationSymmetrical
Chip Density (bit)512M
Command CompatibleYes
Process Technology45nm, MirrorBit
Moisture Sensitive:Yes
OE Access Time (ns)35
Program Current (mA)100
Support of Page ModeYes
Max. Access Time (ns)110
Supply Current - Max:60 mA
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Location of Boot BlockBottom|Top
Maximum Erase Time (s)3.5/Sector
Operating Current (mA)60
Page Read Current (mA)25
Number of Bits per Word8bit
Programming Voltage (V)2.7 to 3.6
Number of Bits/Word (bit)8/16
Maximum Random Access Time110ns
Minimum Endurance (Cycles)100000
Supplier Temperature GradeIndustrial
Maximum Operating Temperature+85 °C
Maximum Page Access Time (ns)25
Maximum Programming Time (ms)0.75/Word
Minimum Operating Temperature-40 °C
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Operating Supply Voltage3.6 V
Minimum Operating Supply Voltage2.7 V
Maximum Operating Temperature (°C)85
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.7
Typical Operating Supply Voltage (V)3|3.3
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:900

Техническая документация