Моя заявка (0)

S29GL512S11DHV010, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray

S29GL512S11DHV010, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002230521
Артикул
S29GL512S11DHV010
Бренд
Cypress Semiconductor
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Cell Type
NOR
Packaging
Tray
Цена по запросу
(от 2 240 ₽)
Минимальный заказ: 42 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NOR Flash параллельный 3 В/ 3,3 В 512-разрядный 32 М x 16 110 нс 64-контактный BGA-лоток с усиленным разъемом

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
Cell TypeNOR
PackagingTray
Page Size32byte
Pin Count64
AutomotiveNo
Boot BlockYes
Lead ShapeBall
Вес, г0.16
Серия29GL
ECC SupportYes
PCB changed64
Part StatusActive
Sector Size128Kbyte x 512
Timing TypeAsynchronous
ArchitectureSectored
Корпус64-Pin Fortified BGA
Package Width9
Interface TypeParallel
Package Length9
Number of Words32M
ProgrammabilityYes
Supplier PackageFortified BGA
Block OrganizationSymmetrical
Chip Density (bit)512M
Command CompatibleYes
Process Technology65nm, MirrorBit
Интерфейсparallel
Address Width (bit)25
OE Access Time (ns)35
Тип памятиFLASH-NOR
Program Current (mA)100
Support of Page ModeYes
Max. Access Time (ns)110
Standard Package NameBGA
Location of Boot BlockBottom|Top
Maximum Erase Time (s)1.1/Sector
Operating Current (mA)60
Page Read Current (mA)25
Programming Voltage (V)2.7 to 3.6
Объем памяти512
Number of Bits/Word (bit)16
Minimum Endurance (Cycles)100000
Supplier Temperature GradeIndustrial Plus
Maximum Page Access Time (ns)15
Maximum Programming Time (ms)269/Sector
Maximum Operating Temperature (°C)105
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.7
Typical Operating Supply Voltage (V)3|3.3
Напряжение питания, В3.3
Рабочая температура, °C-40
Максимальная тактовая частота (скорость)110нс

Техническая документация