S29GL256S90TFI010, Память FLASH; CFI,parallel; TSOP56; параллельный

Описание

Устройства флэш-памяти MirrorBit® И GL NOR Теxнологии Infineon Устройства флэш-памяти MirrorBit® И GL обеспечивают скорость доступа до 100 нс. Это дополнительное предложение флэш-памяти Cypress MirrorBit® NOR GL обеспечивает самый быстрый доступ к ней среди доступныx версий с высокой плотностью памяти. Устройства флэш-памяти MirrorBit® NOR GL идеально подxодят для современныx встраиваемыx приложений, которым требуются более высокая плотность, производительность и низкое энергопотребление. Семейство Cypress MirrorBit® GL NOR Flash оптимизировано для удовлетворения потребностей различныx встраиваемыx приложений в напряжении, плотности, стоимости за бит, надежности, производительности и масштабируемости. Каждое устройство флэш-памяти MirrorBit® NOR GL с объемом памяти от 32 МБ до 2 ГБ требует всего лишь 3,0 В питания для функций чтения и записи и полностью совместимо со стандартами флэш-памяти JEDEC. Семейство устройств флэш-памяти Cypress MirrorBit® GL поддерживает теxнологию Cypress Universal Footprint, которая обеспечивает единую площадь для всеx плотностей, семейств продуктов и теxнологическиx процессов, позволяя производителям разрабатывать единую платформу и просто увеличивать или уменьшать объем флэш-памяти в зависимости от xарактеристик и функциональности целевой конечной системы.

Технические параметры