Моя заявка (0)
S29GL064S70TFI030, TFSOP-48 NOR FLASH ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044549946
Артикул
S29GL064S70TFI030
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
No
Brand:
Infineon Technologies
Speed:
70 ns
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 976 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

S29GL01G/512/256/Флэш-память MIRRORBIT™ объемом 128 Гб Infineon Technologies S29GL01G/512/256/ Флэш-память 128S MIRRORBIT™ Eclipse оптимизирована с учетом требований к напряжению, плотности, стоимости за бит, надежности, производительности и масштабируемости. При плотности памяти от 32 МБ до 2 ГБ для каждого устройства памяти MIRRORBIT требуется только один источник питания напряжением 3,0 В для функций чтения и записи. Весь набор команд совместим со стандартами JEDEC Flash.

Технические параметры

PPAPNo
Brand:Infineon Technologies
Speed:70 ns
EU RoHSCompliant
Series:S29GL064S
MountingSurface Mount
Cell TypeNOR
ECCN (US)3A991.b.1.a
PackagingTray
Page Size8Words/16byte
Pin Count48
AutomotiveNo
Boot BlockYes
Lead ShapeGull-wing
Packaging:Tray
Tradename:MirrorBit
Вес, г0.51
Серия29GL
ECC SupportYes
PCB changed48
Part StatusActive
Sector Size8Kbyte x 8|64Kbyte x 127
Timing TypeAsynchronous
ArchitectureSectored
Memory Size:64 Mbit
Memory Type:NOR
Subcategory:Memory & Data Storage
Timing Type:Asynchronous
КорпусTSOP-48
Architecture:Sector
Manufacturer:Infineon
Organization:8 M x 8
Product Type:NOR Flash
Interface TypeParallel
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Number of Words8M/4M
Package / Case:TSOP-48
ProgrammabilityYes
Supplier PackageTSOP
Product Category:NOR Flash
Block OrganizationAsymmetrical
Chip Density (bit)64M
Command CompatibleYes
Process Technology65nm, MirrorBit
Moisture Sensitive:Yes
OE Access Time (ns)35
Тип памятиFLASH-NOR
Program Current (mA)60
Support of Page ModeYes
Max. Access Time (ns)70
Standard Package NameSOP
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Location of Boot BlockTop
Maximum Erase Time (s)65.4/Chip
Operating Current (mA)50
Page Read Current (mA)20
Programming Voltage (V)2.7 to 3.6
Объем памяти64
Number of Bits/Word (bit)8/16
Minimum Endurance (Cycles)100000
Supplier Temperature GradeIndustrial
Maximum Page Access Time (ns)25
Maximum Programming Time (ms)1.2/Word
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Maximum Operating Temperature (°C)85
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.7
Typical Operating Supply Voltage (V)3|3.3
Напряжение питания, В3
Рабочая температура, °C-40…85
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:960
Максимальная тактовая частота (скорость)70

Техническая документация