Моя заявка (0)

S29GL01GT12DHVV20, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray

S29GL01GT12DHVV20, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013827479
Артикул
S29GL01GT12DHVV20
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Density
1073741824(Bit)
Mounting
Surface Mount
Boot Type
Bottom/Top
Cell Type
NOR
Цена по запросу
(от 3 070 ₽)
Минимальный заказ: 9 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Флеш-память NOR NOR

Технические параметры

Density1073741824(Bit)
MountingSurface Mount
Boot TypeBottom/Top
Cell TypeNOR
PackagingTray
Pin Count64
Sync/AsyncAsynchronous
Вес, г0.16
Серия29GL
Address Bus26(b)
Package TypeFortified BGA
ProgrammableYes
Rad HardenedNo
Interface TypeParallel
Supply Current60(mA)
Number of Words128M/64M
УпаковкаTray
Access Time (Max)120(ns)
Интерфейсparallel
Тип памятиFLASH-NOR
Operating Temp Range-40C to 105C
Вид монтажаSMD/SMT
Организация128 M x 8/64 M x 16
Тип продуктаNOR Flash
Program/Erase Volt (Typ)2.7 to 3.6(V)
ПодкатегорияMemory Data Storage
Размер памяти1 Gbit
Operating Temperature (Max)105C
Operating Temperature (Min)-40C
Тип интерфейсаParallel
Торговая маркаCypress Semiconductor
Упаковка / блокFBGA-64
Быстродействие120 ns
Operating Supply Voltage (Max)3.6(V)
Operating Supply Voltage (Min)2.7(V)
Operating Supply Voltage (Typ)3/3.3(V)
Тип синхронизацииAsynchronous
Ширина шины данных8 bit/16 bit
Категория продуктаФлеш-память NOR
Operating Temperature ClassificationIndustrial
Напряжение питания, В3.3
Напряжение питания - мин.2.7 V
Коммерческое обозначениеMirrorBit Eclipse
Напряжение питания - макс.60 mA, 3.6 V
Размер фабричной упаковки260
Чувствительный к влажностиYes
Активный ток считывания — макс.60 mA
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 105 C
Максимальная тактовая частота (скорость)120нс

Техническая документация