Моя заявка (0)

S29GL01GT12DHVV10, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray

S29GL01GT12DHVV10, NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8/64M x 16 120ns 64-Pin Fortified BGA Tray

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002246099
Артикул
S29GL01GT12DHVV10
Бренд
Cypress Semiconductor
PPAP
No
Mounting
Surface Mount
Cell Type
NOR
Packaging
Tray
Цена по запросу
(от 3 030 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NOR Flash параллельный 3 В/ 3,3 В 1G-разрядный 128 М x 8/64 М x 16 120ns 64-контактный BGA-лоток с усиленным разъемом

Технические параметры

PPAPNo
MountingSurface Mount
Cell TypeNOR
PackagingTray
Page Size32byte
Pin Count64
AutomotiveNo
Boot BlockYes
Вес, г0.16
Серия29GL
ECC SupportYes
PCB changed64
Part StatusActive
Sector Size128Kbyte x 1024
Timing TypeAsynchronous
ArchitectureSectored
Package Width9
Interface TypeParallel
Package Length9
Number of Words128M/64M
ProgrammabilityYes
Supplier PackageFortified BGA
Block OrganizationSymmetrical
Chip Density (bit)1G
Command CompatibleYes
Process Technology45nm, MirrorBit
Интерфейсparallel
Address Width (bit)27/26
OE Access Time (ns)35
Тип памятиFLASH-NOR
Program Current (mA)100
Support of Page ModeYes
Max. Access Time (ns)120
Standard Package NameBGA
Location of Boot BlockBottom|Top
Maximum Erase Time (s)3.5/Sector
Operating Current (mA)60
Page Read Current (mA)25
Programming Voltage (V)2.7 to 3.6
Объем памяти1
Number of Bits/Word (bit)8/16
Minimum Endurance (Cycles)100000
Supplier Temperature GradeIndustrial Plus
Maximum Page Access Time (ns)25
Maximum Programming Time (ms)1.05/Word
Maximum Operating Temperature (°C)105
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Supply Voltage (V)3.6
Minimum Operating Supply Voltage (V)2.7
Typical Operating Supply Voltage (V)3|3.3
Напряжение питания, В3.3
Максимальная тактовая частота (скорость)120нс

Техническая документация