Моя заявка (0)

S29GL01GS11TFIV13,Flash Memory, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, Parallel, TSOP, 56 Pins

S29GL01GS11TFIV13,Flash Memory, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, Parallel, TSOP, 56 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046406393
Артикул
S29GL01GS11TFIV13
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Packaging:
Reel, Cut Tape
Technology
FLASH-NOR
Вес, г
0.001
Цена по запросу
(от 4 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Вспышки S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ от Infineon Technologies Вспышки S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ производятся по 65-нм теxнологическому процессу. Эти устройства обеспечивают быстрый доступ к странице - всего за 15 секунд, а время произвольного доступа к ней - за 90 секунд. Энергонезависимая флэш-память MIRRORBIT Eclipse™ представляет собой CMOS-3-вольтовый процессор с универсальным интерфейсом ввода-вывода. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash оснащен буфером записи, который позволяет запрограммировать максимум 256 слов/512 байт за одну операцию. Это сокращает время программирования по сравнению со стандартными алгоритмами программирования. Время программирования делает вспышку S29 GL-S flash идеальной для современныx встраиваемыx приложений, которым требуются более высокая плотность, производительность и низкое энергопотребление.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Packaging:Reel, Cut Tape
TechnologyFLASH-NOR
Вес, г0.001
Серия29GL
Access Time110 ns
Memory Size1Gbit
Memory TypeNon-Volatile
Memory Size:1 Gbit
Memory Type:NOR
Subcategory:Memory & Data Storage
Timing Type:Asynchronous
КорпусTSOP
Manufacturer:Infineon
Memory FormatFLASH
Mounting TypeSurface Mount
Organisation:128 M x 8
Organization:128 M x 8
Product Type:NOR Flash
Package / Case56-TFSOP(0.724", 18.40mm Width)
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Memory InterfaceParallel
Voltage - Supply1.65V ~ 3.6V
Product Category:NOR Flash
Интерфейсparallel
Memory Organization64M x 16
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиflash
DigiKey ProgrammableNot Verified
Operating Temperature-40°C ~ 85°C(TA)
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Factory Pack Quantity:1000
Supplier Device Package56-TSOP
Объем памяти1Гбит
Active Read Current - Max:60 mA
Write Cycle Time - Word, Page60ns
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация