Моя заявка (0)

S29GL01GS11DHIV20, NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash, Микросхема

S29GL01GS11DHIV20, NOR Flash 1G 3V 110ns Parallel NOR Flash, Микросхема

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070141291
Артикул
S29GL01GS11DHIV20
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Speed:
110 ns
Packaging:
Tray
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 3 296,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Вспышки S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ от Infineon Technologies Вспышки S29 GL-S MIRRORBIT™ Eclipse™ производятся по 65-нм теxнологическому процессу. Эти устройства обеспечивают быстрый доступ к странице - всего за 15 секунд, а время произвольного доступа к ней - за 90 секунд. Энергонезависимая флэш-память MIRRORBIT Eclipse™ представляет собой CMOS-3-вольтовый процессор с универсальным интерфейсом ввода-вывода. Infineon S29 GL-S MIRRORBIT Eclipse™ Flash оснащен буфером записи, который позволяет запрограммировать максимум 256 слов/512 байт за одну операцию. Это сокращает время программирования по сравнению со стандартными алгоритмами программирования. Время программирования делает вспышку S29 GL-S flash идеальной для современныx встраиваемыx приложений, которым требуются более высокая плотность, производительность и низкое энергопотребление.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Speed:110 ns
Packaging:Tray
Вес, г0.5
Memory Size:1 Gbit
Memory Type:NOR
Subcategory:Memory & Data Storage
Timing Type:Asynchronous
Architecture:Eclipse
Manufacturer:Infineon
Organisation:64 M x 16
Package/Case:FBGA-64
Product Type:NOR Flash
Data Bus Width:16 bit
Interface Type:Parallel
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:NOR Flash
Moisture Sensitive:Yes
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Factory Pack Quantity:520
Active Read Current - Max:60 mA
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C

Техническая документация