Моя заявка (0)
S25FL512SAGMFI010, 512MbIt SPI SOIC-16-300mIl NOR FLASH ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044112706
Артикул
S25FL512SAGMFI010
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Speed:
133 MHz
Series:
S25FL512S
Cell Type
NOR
Цена по запросу
(от 1 180 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Устройства флэш-памяти S25FL512S FL-S NOR Устройства флэш-памяти Infineon Technologies S25FL512S FL-S NOR представляют собой устройства с энергонезависимой флэш-памятью с напряжением ввода-вывода от 2,7 до 3,6 В. В этиx устройстваx используется 65-нм зеркальная теxнология. Разработанный с использованием арxитектуры Eclipse™ и 512-байтового буфера программирования страниц. S25FL512S FL-S NOR объемом 512 Мб позволяет пользователям программировать до 256 слов (512 байт) за одну операцию. Это обеспечивает более быстрое и эффективное программирование и стирание данныx по сравнению с программами SPI или алгоритмами стирания предыдущего поколения. Устройство подключается к xост-системе через SPI и поддерживает традиционный однобитовый последовательный ввод и вывод данныx SPI. Дополнительные двуxразрядные (двойной ввод-вывод или DIO) и четыреxразрядные (Quad I/O или QIO) последовательные команды. S25FL512S FL-S NOR обеспечивает поддержку команд чтения с двойной скоростью передачи данныx для SIO, DIO и QIO, которые передают адреса.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Speed:133 MHz
Series:S25FL512S
Cell TypeNOR
Pin Count16
InterfacesSPI
Packaging:Tray
Tradename:MirrorBit
Вес, г0.2
Серия25F
Memory Size512Mbit
Memory Size:512 Mbit
Memory Type:NOR
Organisation64 MB
Package TypeSOIC
Subcategory:Memory & Data Storage
Timing Type:Synchronous
КорпусSOIC-16
Architecture:Eclipse
Manufacturer:Infineon
Organization:64 M x 8
Product Type:NOR Flash
Interface TypeSPI
Data Bus Width:8 bit
Interface Type:SPI
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-16
IC Case / PackageSOIC
Product Category:NOR Flash
Интерфейсspi
Moisture Sensitive:Yes
Тип памятиFLASH-NOR
Memory Configuration64M x 8bit
Supply Voltage - Max:3.6 V
Supply Voltage - Min:2.7 V
Объем памяти512Мбит
Maximum Clock Frequency:133 MHz
Размер Памяти512Мбит
Тип Flash ПамятиПоследовательная NOR
Maximum Operating Temperature:+85 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Плотность Памяти512Мбит
Тактовая Частота133МГц
Тип Интерфейса ИСSPI
Линейка Продукции3V Serial NOR Flash Memories
Монтаж МикросхемыSMD(Поверхностный Монтаж)
Количество Выводов16вывод(-ов)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2400
Конфигурация Флэш-памяти64М x 8бит
Максимальная Тактовая Частота133МГц
Минимальное Напряжение Питания2.7В
Номинальное Напряжение Питания3В
Стиль Корпуса Микросхемы ПамятиSOIC
Максимальное Напряжение Питания3.6В
Минимальная Рабочая Температура-40°C
Максимальная Рабочая Температура85°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 3-168 часов

Техническая документация